ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装（ MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”，新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。

近年来，随着照明用的小型电源和电泵用电机的性能提升，对于在这些应用中发挥开关作用的MOSFET的更小型产品需求高涨。通常，对于Super Junction MOSFET而言，在保持高耐压和低导通电阻特性理想平衡的同时，很难进一步缩小体积。此次，ROHM通过改进内置芯片的形状，在不牺牲以往产品性能的前提下开发出5款更小更薄的SOT-223-3封装新产品。

与以往TO-252封装（6.60mm×10.00mm×2.30mm）的产品相比，新产品的面积减少约31%，厚度减少约27%，有助于实现更小、更薄的应用产品。另外，新产品还支持TO-252封装电路板上的布线图案（焊盘图案），因此也可以直接使用现有的电路板。

五款新产品分别适用于小型电源和电机应用，各有不同的特点。适用于小型电源的有3款型号，“R6004END4”具有低噪声的特点，适用于需要采取降噪措施的应用；“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速开关的特点，适用于需要低损耗且高效率工作的应用；“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技术加快了反向恢复时间（trr*2）并大大降低了开关损耗，属于“PrestoMOS”产品，非常适用于电机应用。

此外，为了加快这些产品的应用，在ROHM官网上还免费提供电路设计所需的应用指南和各种技术资料，以及仿真用的SPICE模型等资源。

新产品已于2023年11月开始暂以月产10万个的规模投入量产（样品价格400日元/个，不含税）。

今后，ROHM将继续开发不同封装和低导通电阻产品，不断扩大Super Junction MOSFET的产品阵容，通过助力各种设备降低功耗，来为解决环境保护等社会课题做出贡献。

＜产品阵容＞

小型电源用

产品型号	数据表	极性 [ch]	VDSS [V]	ID [A]	RDS(on) [Ω] *VGS=10V		Qg [nC] *VGS=10V	封装 [mm]
					Typ.	Max.	Typ.
R6004END4		N	600	2.4	0.90	0.98	15	SOT-223-3 (6.50×7.00×1.66)
R6003KND4				1.3	1.30	1.50	8
R6006KND4				2.8	0.72	0.87	12

电机用

产品型号	数据表	极性 [ch]	VDSS [V]	ID [A]	RDS(on) [Ω] *VGS=15V		Qg [nC] *VGS=15V	trr [ns]	封装 [mm]
					Typ.	Max.	Typ.	Typ.
R6002JND4		N	600	1.0	2.50	3.25	7	40	SOT-223-3 (6.50×7.00×1.66)
R6003JND4				1.3	1.65	2.15	8	42

＜应用示例＞

・R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4：照明、空调、冰箱等
・R6002JND4 / R6003JND4：电泵、风扇、复印机等使用的电机

＜销售信息＞

开始销售时间：2023年12月起

＜什么是PrestoMOS＞

＜术语解说＞

• *1) Super Junction MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）
• MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构上的不同又可细分为Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同种类的产品。与Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET能够同时实现高耐压和低导通电阻，在处理大功率时损耗更小。
• *2) trr：反向恢复时间（Reverse Recovery Time）
• 内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。