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東芝推出嵌入ECC處理能力的SLC NAND

发布时间:2012-01-21 20:31:49.0

東芝公司今日發佈了BENANDTM[1]產品。該產品基於單層存儲單元(SLCNAND閃存,並且內嵌錯誤糾正功能(ECC)。BENAND的應用範圍非常廣泛,包括:LCD電視、數碼照相機、機器人以及其他的工業應用。目前東芝公司推出的八款BENAND產品的樣品涵蓋兩種容量,分別為4Gigabit 和 8GigabitBENAND產品正式批量生產的時間為20123月。

由於介面簡單,可靠性高,小容量的SLC NAND已被廣泛應用於消費電子和工業編程領域。目前多數主機處理其中已嵌入ECC功能,可以在每512位元組中糾正1位錯誤。然而,隨著記憶體工藝技術的不斷進步,對於ECC的要求也相應提高。以32納米工藝製造的NAND閃存所要求的ECC已經超過了4/512位元組。所以,在使用32納米以及更先進工藝製造的,且未嵌入ECC功能的NAND閃存時,主機處理器中的控制器就必須相應升級,以確保其糾錯能力與NAND閃存相符。

BENAND在減輕主機處理器ECC負擔的同時,最大程度的避免了協議更改並且允許主機處理器支持最先進工藝的NAND閃存。BENAND在東芝公司最先進的32納米工藝的SLC NAND閃存中,嵌入了一個具有4/512位元組糾錯能力的ECCBENAND具有與通用的SLC NAND閃存相容的封裝和引腳定義,這一點保證其在現有產品中可以輕鬆地與SLC NAND實現替換。

東芝公司計畫在2012年的夏天過後,繼續拓寬BENAND產品線以涵蓋24納米工藝的NAND閃存產品。BENAND將進一步拓寬產品線,為客戶提供更多選擇。BENAND也將進一步幫助東芝公司在記憶體領域保持其領先地位。

[1] BENAND是東芝公司的商標。

參考資料:

產品編號

容量

輸入/輸出

電壓

封裝

量產

TC58BVG2S0FTA00

4Gbit

x8

2.73.6V

TSOP48

20123

TC58BYG2S0FTA00

1.71.95V

TSOP48

TC58BVG2S0FBAI4

2.73.6V

FBGA63

TC58BYG2S0FBAI4

1.71.95V

FBGA63

TC58BVG2S5FBAI4

x16

2.73.6V

FBGA63

TC58BYG2S5FBAI4

1.71.95V

FBGA63

TH58BVG3S0FTA00

8Gbit

x8

2.73.6V

TSOP48

2012年第二季度

TH58BYG3S0FTA00

1.71.95V

TSOP48

主要特徵

1. 封裝中包括4/512位元組的ECC32納米工藝的NAND閃存。

2. 通用介面。封裝和引腳定義與通用的SLC NAND相容。可以簡單地在現有產品中進行替換。

3. 通過在NAND閃存中嵌入ECC,可以使主機處理器使用最先進工藝的NAND閃存而不用考慮錯誤糾正能力。

規格

介面

通用的NAND 閃存介面

頁面大小

4K Byte

電壓

Vcc=2.73.6V,1.71.95V

封裝

·TSOP4812mm x 20mm x 1.2mm
·FBGA63 9mm x 11mm x 1.0mm