全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。
近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题，ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了两者之间的权衡关系。
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。另外，通过改进栅极结构，Qgd*3（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比以往产品减少了约40%（Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较）。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如，当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时，新产品在稳态工作时的输出电流范围内，实现了业界超高的电源效率（峰值时高达约95%）。
新产品已于2023年1月开始暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格500日元/个，不含税）。另外，新产品也已开始电商销售，从Ameya360，Sekorm， Oneyac，RightIC等电商平台均可购买。
未来，ROHM将继续开发导通电阻更低的MOSFET，通过助力各种设备降低功耗和更加节能，为环境保护等社会问题贡献力量。
| 产品型号 | 数据表 | VDSS [V] | ID[A] TC=25°C | RDS(on)[mΩ] | Qg[nC] | Qgd [nC] | 封装名称 [mm] | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS=10V | VGS=10V | VGS=6V | VGS=4.5V | |||||||
| Typ. | Max. | Typ. | Typ. | Typ. | Typ. | |||||
 RS6G120BG |  | 40 | 120 | 1.03 | 1.34 | 67 | - | 34 | 12 |  HSOP8 （5.0×6.0×1.0） |
| RS6G100BG | | 100 | 2.6 | 3.4 | 24 | - | 11.8 | 4.3 | ||
| RS6L120BG | | 60 | 120 | 2.1 | 2.7 | 51 | - | 25 | 7.3 | |
| RS6L090BG | | 90 | 3.6 | 4.7 | 28 | - | 14 | 4.1 | ||
| RS6N120BH | | 80 | 120 | 2.8 | 3.3 | 53 | 33 | - | 10.1 | |
| RS6P100BH | | 100 | 100 | 4.5 | 5.9 | 45 | 29 | - | 11.7 | |
| RS6P060BH | | 60 | 8.2 | 10.6 | 25 | 16.2 | - | 6.3 | ||
| RS6R060BH | | 150 | 16.7 | 21.8 | 46 | 30 | - | 12 | ||
| RS6R035BH | | 35 | 32 | 41 | 25 | 16.2 | - | 6.4 | ||
| RH6G040BG | | 40 | 40 | 2.8 | 3.6 | 25 | - | 11.8 | 4.5 |  HSMT8 （3.3×3.3×0.8） |
| RH6L040BG | | 60 | 5.5 | 7.1 | 18.8 | - | 9.2 | 2.7 | ||
| RH6P040BH | | 100 | 12 | 15.6 | 16.7 | 10.9 | - | 4.4 | ||
| RH6R025BH | | 150 | 25 | 46 | 59 | 16.7 | 11 | - | 4.4 | |
以及其他各种设备的电源电路和电机驱动。