全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用，开发出将两枚100V耐压MOSFET*1一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分为“HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列”和“HP8MEx（Nch+Pch*2）系列”两个系列，共5款新机型。
近年来，在通信基站和工业设备领域，为了降低电流值、提高效率，以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统，电源电压呈提高趋势。此外，用来冷却这些设备的风扇电机也使用的是48V系统电源，考虑到电压波动，起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面，提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高，效率会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动，为了节省空间，对于将两枚芯片一体化封装的双MOSFET的需求增加。
在这种背景下，ROHM采用新工艺开发出Nch和Pch的MOSFET芯片，并通过采用散热性能出色的背面散热封装形式，开发出实现业界超低导通电阻的新系列产品。
新产品通过采用ROHM新工艺和背面散热封装，实现了业界超低的导通电阻（Ron）*3（Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。与普通的双MOSFET相比，导通电阻降低达56%，非常有助于进一步降低应用设备的功耗。另外，通过将两枚芯片一体化封装，可以减少安装面积，有助于应用设备进一步节省空间。例如HSOP8封装的产品，如果替换掉两枚单MOSFET（仅内置1枚芯片的TO-252封装），可以减少77%的安装面积。
目前，ROHM正在面向工业设备领域扩大双MOSFET的耐压阵容，同时也在开发低噪声产品。未来，将通过持续助力各种应用产品进一步降低功耗并节省空间，为解决环境保护等社会问题不断贡献力量。
Nch+Nch 双MOSFET Nch+Pch 双MOSFET * 预计产品阵容中将会逐步增加40V、60V、80V、150V产品。 ・通信基站用风扇电机 ROHM通过将新产品与已具有丰硕实际应用业绩的单相和三相无刷电机用预驱动器IC相结合，使电机电路板的进一步小型化、低功耗和静音驱动成为可能。通过为外围电路设计提供双MOSFET系列和预驱动器IC相结合的综合支持，为客户提供满足其需求且更出色的电机驱动解决方案。 与100V耐压双MOSFET相结合的示例＜产品阵容＞
产品型号 数据表 极性
[ch]VDSS
[V]ID[A]
TC=25℃PD[W]
TC=25℃RDS（on）[mΩ] 封装
[mm]VGS=10V VGS=4.5V Typ Max. Typ. Max. 
HP8KE6
N＋N 100 17 21 41 54 53 73 
HSOP8
（5.0×6.0×1.0）HP8KE724 26 15.1 19.6 18.6 27.8 HT8KE5N＋N 100 7 13 148 193 200 300 
HSMT8
（3.3×3.3×0.8）HT8KE613 14 44 57 56 83 产品型号 数据表 极性
[ch]VDSS
[V]ID[A]
TC=25℃PD[W]
TC=25℃RDS（on）[mΩ] 封装
[mm]VGS=10V VGS=4.5V Typ Max. Typ. Max. HP8ME5N＋P 100 8.5 20 148 193 200 300
HSOP8
（5.0×6.0×1.0）－100 －8.0 210 273 233 303 ＜应用示例＞
・FA设备等工业设备用风扇电机
・数据中心等服务器用风扇电机＜通过与预驱动器IC相结合，为电机驱动提供更出色的解决方案＞
■HT8KE5（Nch+Nch 双MOSFET）和BM64070MUV（三相无刷电机用预驱动器IC）
■HP8KE6（Nch+Nch 双MOSFET）和BM64300MUV（三相无刷电机用预驱动器IC）等＜电机用新产品的规格书数据下载页面＞＜术语解说＞
Nch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏极与源极之间的导通电阻更小，因此可减少常规损耗。
